北京時(shí)間6月13日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)表示，通過(guò)三門(mén)(tri-gate)晶體管及其他系列新技術(shù)，將有助于進(jìn)一步壓縮晶體管體積，進(jìn)而開(kāi)發(fā)出下一代高處理能力芯片。
英特爾技術(shù)研發(fā)人員稱，憑借三門(mén)絕緣、高介電值雙電子(high-k gate dielectrics)、金屬電極及應(yīng)變硅(strained silicon)等新技術(shù)，公司在進(jìn)一步壓縮晶體管體積的同時(shí)，還可進(jìn)一步提高處理性能并防止電流泄漏。英特爾部件研發(fā)和技術(shù)部門(mén)主管兼制造部門(mén)副總裁邁克
