2017年9月28日，中芯國際集成電路制造有限公司（簡稱“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯交所股票代碼：981），世界領先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，中國內地規(guī)模最大、技術最先進的集成電路晶圓制造企業(yè)，與中興微電子，全球領先的綜合通信芯片提供商，今日共同發(fā)布中國大陸首顆自主設計并制造的基于蜂窩的窄帶物聯網（NB-IoT）商用芯片RoseFinch7100。該芯片基于中芯國際55納米超低功耗+射頻+嵌入式閃存（55nm ULP+RF+eFlash）工藝平臺制造，可廣泛應用于無線表計、共享單車、智慧家電、智慧城市、智慧農業(yè)等多個物聯網行業(yè)和領域。
中芯國際55nm ULP+RF+eFlash工藝是專門針對超低功耗物聯網應用開發(fā)的技術平臺，基于穩(wěn)定成熟的55納米邏輯及混合信號工藝，通過工藝改進和器件性能提升，將核心工作電壓降低30%，動態(tài)功耗降低45%，靜態(tài)功耗降低70%，SRAM 漏電大幅降低，并兼容射頻工藝、嵌入式閃存工藝，以及配備完整的IP解決方案。相比其它工藝節(jié)點，中芯國際55nm ULP+RF+eFlash工藝能更好地平衡NB-IoT對于低待機功耗和小封裝尺寸的嚴苛要求，是系統級低功耗物聯網芯片設計的可靠平臺。
基于中芯國際55納米完整的超低功耗工藝技術平臺，以及中興微電子強大的設計能力，此次商用的NB-IoT系統級芯片Rose Finch7100專為低功耗廣域物聯網而設計，睡眠功耗2uA，在每日收發(fā)一次的條件下睡眠功耗占比為16%；此外Rose Finch7100為單芯片設計，外圍極簡，支持R14全頻段，擁有云芯一體全局安全性能，以及開放的應用架構。
“很高興此次能夠與中興微電子密切合作，共同推進NB-IoT芯片在中國大陸的自主設計、制造以及商業(yè)化進程。這一成果填補了中國市場的空白，也符合中芯國際的物聯網技術發(fā)展戰(zhàn)略?！敝行緡H全球銷售及市場執(zhí)行副總裁Mike Rekuc表示，“中芯國際55納米技術平臺集成了超低功耗、射頻以及嵌入式閃存工藝，因此特別適用于NB-IoT及其他物聯網技術的芯片產品，能夠很好地滿足客戶對功耗及性能的需求?！?
“中芯國際的強大制造能力有效保障了中興微電子新一代物聯網NB-IoT芯片RoseFinch7100 按期商用，從測試的情況看，芯片的功能與性能達到了預期要求。在睡眠功耗、截止電壓和外圍接口數量等與物聯網應用關聯的核心指標上，都在業(yè)界處于領先水平，低成本低功耗優(yōu)勢明顯?！敝信d微電子副總經理龍志軍表示，“該芯片將進一步掀起物聯網行業(yè)的深度變革。同步發(fā)售的將還有數個行業(yè)合作伙伴的首款NB-IoT商用產品。該款芯片處于業(yè)界第一陣營，商用時間對標中國三大運營商的商用路演時間，有效支撐廠家卡位產品上市的最佳時間窗?！?
