在做直流無(wú)刷電機(jī)控制時(shí)，調(diào)試時(shí)電機(jī)剛啟動(dòng)，就出現(xiàn)燒MOS管，同時(shí)也會(huì)燒毀單片機(jī)的現(xiàn)象？本文將舉例說(shuō)明其原因。
R2110是浮地驅(qū)動(dòng)芯片，高端驅(qū)動(dòng)利用浮地電容中的電荷驅(qū)動(dòng)，只能驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)功率管，如MOSFET或IGBT。
上圖有兩個(gè)問(wèn)題：1、浮地電容太大，影響快速開(kāi)關(guān)；2、高端驅(qū)動(dòng)利用的是浮地電容中的電荷，選取電容時(shí)要使用漏電流小的瓷片電容，盡量保證高端驅(qū)動(dòng)時(shí)有足夠的驅(qū)動(dòng)電壓。上圖在每個(gè)高端MOSFET 的柵極和源極之間10K的電阻將迅速將電容中的電荷放光，使得柵極驅(qū)動(dòng)電壓下降。在柵極驅(qū)動(dòng)電壓下降的過(guò)程中，MOSFET進(jìn)入放大區(qū)，管壓降迅速增加， 將MOSFET燒毀;至于燒單片機(jī)，是因?yàn)闆](méi)有將強(qiáng)電部分和控制部分隔離，燒毀MOS管的同時(shí)，高壓信號(hào)串入控制板，除非功率部分不出故障，否則燒壞單片機(jī)是不可避免的。
每個(gè)MOSFET的柵源極之間反向并聯(lián)的18V穩(wěn)壓二極管很好,可以避免尖峰電壓脈沖擊穿柵源極，但是與之并聯(lián)10K的電阻將驅(qū)動(dòng)電荷給放掉了 (結(jié)合IR2110的內(nèi)部原理圖分析)，而且在此過(guò)程中使得MOS管進(jìn)入放大區(qū)導(dǎo)致過(guò)熱燒毀，可以把這個(gè)電阻去掉試試看；另外如果采用IGBT，推薦使用IRF的600V產(chǎn)品，耐壓和電流余量放大些，在2110的VCC和COM之間靠近2110處再接一個(gè)4.7微法的獨(dú)石電容，驅(qū)動(dòng)信號(hào)如果是TTL電平，那么就將VDD接5V電源，以保證驅(qū)動(dòng)信號(hào)兼容TTL電平。
總結(jié)：例圖里面出現(xiàn)了幾個(gè)致命的問(wèn)題：
1)PWM千萬(wàn)別用廉價(jià)MCU軟件產(chǎn)生，因?yàn)樯想娺^(guò)程和死機(jī)狀態(tài)根本無(wú)法確定；
2)D3/D4/D6/D7改成10BQ040，1N4148在這其實(shí)是添亂；
3)Q2的D到Q5的S和Q3的D到Q6的S接CBB18/630V/224的電容，千萬(wàn)不可改變；
4)建議換掉仙童的FET，主要是該公司的元件分散性太差，做單管的電源還可以，做其它的太難用；
5)去掉RCD吸收；
6)每半橋的兩FET間要近；
7)濾波電容必須靠FET安裝,間距必須小于5CM；
8)注意散熱。
